2SD2012

概要

2SD2012はNPN型シリコントランジスタ。VCEO:60V、IC:3A、PC:25W、パッケージはTO220

2SD2012ついて

2SD2012はNPN型シリコントランジスタである。

用途

特徴

絶対最大定格

コレクタ・ベース間電圧(VCBO) 60 V
コレクタ・エミッタ間電圧(VCEO) 60 V
エミッタ・ベース間電圧(VEBO) 7 V
コレクタ電流M(Ic) 3 A
コレクタ損失(Pc) 25 W
接合温度(Tj) 150 ��C

電気的特性

トランジション周波数(ft) 9 MHz
コレクタ出力容量(Cob)
直流電流増幅率(hFE) 100
雑音指数(NF) -

その他

パッケージ TO220




 作成:2018/06/14 19:16:11  (作成
 更新:2018/06/14 19:24:20  (更新