2N1132

概要

2N1132はPNP型シリコントランジスタ。VCEO:60V、IC:0.6A、PC:0.6W、パッケージはTO5

2N1132ついて

2N1132はPNP型シリコントランジスタである。

用途

特徴

絶対最大定格

コレクタ・ベース間電圧(VCBO) 60 V
コレクタ・エミッタ間電圧(VCEO) 40 V
エミッタ・ベース間電圧(VEBO) 5 V
コレクタ電流M(Ic) 0.6 A
コレクタ損失(Pc) 0.6 W
接合温度(Tj) 175 °C

電気的特性

トランジション周波数(ft) 60 MHz
コレクタ出力容量(Cob) 45 pF
直流電流増幅率(hFE) 30
雑音指数(NF) -

その他

パッケージ TO5




 作成:2018/06/14 10:52:47  (作成
 更新:2018/06/14 11:10:16  (更新